槐蔭區(qū)全力推進寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)特色小鎮(zhèn)建設

槐蔭區(qū)全力推進寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)特色小鎮(zhèn)建設。

一是加快建設進度。加快推進占地200畝、總建筑面積33萬平方米的半導體小鎮(zhèn)起步區(qū)建設。目前，半導體小鎮(zhèn)起步區(qū)北區(qū)建設已完成征地規(guī)劃、項目立項、土地掛牌及工程勘察工作。規(guī)劃近7萬平方米的標準廠房正在進行施工圖設計和招標工作，力爭 5月份開工。

二是優(yōu)化營商環(huán)境。建立定期調(diào)度機制，實行“一線工作法”，難點問題召集相關部門、項目負責人面對面座談，清除工作推進和項目落地的障礙。

三是加快項目落地。建立招商項目資源信息庫，積極同省半導體協(xié)會、建邦控股溝通，爭取項目資金，為項目落地創(chuàng)造條件。目前，已與大面積硅漂移探測器、氮化鎵大功率器件項目簽訂合作意向，確保山東永芳互聯(lián)網(wǎng)+衛(wèi)品紙品智造新動能項目6月底前基本完工并投產(chǎn)達效。

來源：槐蔭區(qū)