三安光電股份有限公司在長(zhǎng)沙高新區(qū),建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園區(qū)項(xiàng)目,擬估總投資 160 億元。 2020年 6 月 15 日與長(zhǎng)沙高新區(qū)管委會(huì)簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。待項(xiàng)目辦結(jié)完前期手續(xù)后24 個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),48 個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),72 個(gè)月內(nèi)項(xiàng)目全部建成并達(dá)產(chǎn)。
項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容包括新建第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)廠房、辦公等相關(guān)配套設(shè)施;配置相關(guān)研發(fā)、生產(chǎn)配套設(shè)備,建設(shè)構(gòu)成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園區(qū)項(xiàng)目,長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝工序的完整產(chǎn)業(yè)鏈,形成研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售 6 吋 SIC 導(dǎo)電襯底、4 吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET 外延、SIC 二極管外延芯片、SiC MOSFET 芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝 MOSFET的生產(chǎn)能力。
來(lái)源:湖南能源自媒體